2025届[炎德く英才大联考]新高考教学教研联盟高三第一次联考历史答案于2025-03-02发布，目前2024全国100所名校答案吧已经汇总了2025届[炎德く英才大联考]新高考教学教研联盟高三第一次联考历史答案的各科答案和试卷，更多2024全国100所名校答案请关注本网站。

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22.(10分)在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是一部分离子注入工作原理示意图,离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,选择出速度为v的离子,然后通过磁分析器I,选择出特定比荷的离子,经偏转系统Ⅱ后注入水平放置的硅片上。速度选择器、磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外,速度选择器中的匀强电场方向竖直向上。磁分析器截面是矩形,矩形长为23L,,宽为2L。其宽和长中心位置C和D处径为3L的半圆形偏转系统Ⅱ内存在垂直纸面向外,磁感应强度大小可调的匀强磁场,O为半圆形偏转系统的圆心,D、O、N在一条竖直线上,FG为半圆形偏转系统的下边界,FG与硅片平行,O到硅片N的距离ON=3L,不计离子重力及离子间的相互作用,求(1)速度选择器中的匀强电场场强E的大小;(2)求磁分析器选择出来的离子的比荷qm;(3)若偏转系统磁感应强度大小的取值范围33BB甲233B,求硅片上离子注入的宽度。

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10.如图所示电路中,变压器为理想变压器,R1、R2、R3、R4为四个10.阻值相同的电阻,在a、b两端接上有效值不变的正弦交流电,开始时开关S闭合,四个电阻功率相同。下列判断正确的是()ano=kgA.n2:n3=1:2B.n1:n2=3:1m1n2C.S断开后,R2功率变小,R3功率变大D.S断开后,原线圈两端的电压变大1&12+&12

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