山西省2022~2023学年度八年级期末检测评估卷(23-CZ95b)物理`试题答案 (更新中)

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试题答案

山西省2022~2023学年度八年级期末检测评估卷(23-CZ95b)物理`试卷答案

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山西省2022~2023学年度八年级期末检测评估卷(23-CZ95b)物理`

8.如图所所示,两8.如图所示,两正四面体边长均为a,且共用底面bed。电荷量Q荷A、B分别置于两四面体左、右两顶点,静电力常量为,k。则A.b、c、d三点的电势不相等B.b、c、d三点的电场强度大小相等,方向不相同3kQ2a^2C.平面bed上电场强度的最大值为D.平面bcd上电场强度的最大值为3kQa^2

山西省2022~2023学年度八年级期末检测评估卷(23-CZ95b)物理`第一部分

山西省2022~2023学年度八年级期末检测评估卷(23-CZ95b)物理`

9.如图甲所示,一物体放在水平地面上,物体所受水平拉力F随时间t的变化关系如图乙所示,在t=6s时撤去水平拉力F,物体速度v随时间t的变化关系如图丙所示,t1时刻物体停止运动,重力加速度g取10m/s^2,,下列说法正确的是

山西省2022~2023学年度八年级期末检测评估卷(23-CZ95b)物理`第二部分(待更新)

18.(16分)在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序,如图所示是离子注人工作原理示意图,离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,然后通过磁分析器,选择出特定比荷出特定比荷的离子,经偏转系统后注入处在水平面内的晶圆(硅片)。速度选择器、磁分析器和偏转系统中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直于纸面向外;速度选择器和偏转系统中的匀强电场的电场强度大小均为E,方向分别为竖直向上和垂直于纸面向外。磁分析器截R1R2面是内外半径分别为R和R:的四分之一圆环,其两端中心位置M和N处各有一个小孔;偏转系统中电场和磁场的分布区域是同一棱长为L的正方体,其底面与晶圆所在水平面平行,间距也为L。当偏转系统不加电场及磁场时,质量为m的离子恰好竖直注人到品圆上的0点(即图中坐标原点,x轴垂直纸面向外)。整个系统置于真空中,不计离子重力及离子间的相互作用,打在晶圆上的离子,经过电场和磁场偏转的角度都很小,当a很小时,有sina≈αsinα≈tana≈a,,1-12a^2。,cos~1--.求:(1)离子通过速度选择器后的速度大小v;v;(2)离子通过磁分析器选择出来离子的电荷量;(3)偏转系统仅加电场时,离子在穿越偏转系统中动能的增加量;(4)偏转系统仅加磁场时,离子注入晶圆的位置坐标(x,y)(用长度R1、R2、及L表示)。磁分析器B.E离子源速度选择器R1R2N

山西省2022~2023学年度八年级期末检测评估卷(23-CZ95b)物理`
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